请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不... MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出...

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请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不... MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出... mos管的vthVod=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时,不考虑短沟道效用,Vdsat=Vod=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时,MOS的沟道就出现Pich-off现象,这时候电流开始饱和。(长沟道器件) 但是考虑到短沟道效应的模型里,沟道里的多子因为速度饱和效应(Velocity saturat图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点,即Uds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看,id几乎不因Uds的增大而变化,管子进入恒流区,id几乎决定于Uds。

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MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱...

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为:超过驱动门限(Vth)的剩余电压大校 1)只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下,沟道才会形成,MOS管才会工作。也就是说,能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。 2)沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

阈值电压受衬偏效应的影响,即衬底偏置电位,零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos07v pmos负 08,过驱动电压为Vgs减Vth

电容延时电路是如何实现的?

1,两个延时电路的小标题是否标反 2,请分析各阶段的电位变化,以阐述延1)两个延时电路的小标题都正确说明了电路功能; 2) 加电时,要让灯亮,必须先按下开关,电源就会通过二极管快速给电容充电,使得Ua开始时 Ua=Vcc,快速充满电后 Ua=07V(二极管的导通电压),同时因为Ua电压低于发射极电压,三极管导通,灯亮

增强型MOS管的在夹断点电压存在VP=VG-VTH的关系。对么

这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的。 当UGS从0开始,逐步增大(UGS〉0)的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴(带正电)会被G排斥,逐步远

MOS管封装出现Vth击穿是什么原因

公司MOS管封装测试时发现大量的Vth击穿,即Vth=000V,解剖以后看芯片一焊接烙铁没有接把或封装过程中静电击穿。

MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出...

图中的虚线为预夹断的轨迹。它是各条曲线上市Uds=Ugs-Ut 的点连接而成的。超过此点,即Uds的增大部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力。从外部看,id几乎不因Uds的增大而变化,管子进入恒流区,id几乎决定于Uds。

怎样用万用表测量场效应管的参数Kn、Vth和Idss

怎样用万用表测量场效应管的参数Kn、Vth和Idss最好有原理图万用表无此功能,要用晶体管图示仪才好。

如何区分N沟道增强型MOS管的可变电阻区、夹断区、...

你的夹断区指的截止区吗? 从NMOS管的输出特性曲线可以分:可变电阻区、饱和区(恒流)、截止区和击穿区 当VgsVth,且Vgs-Vth>Vds时,可变电阻区; Vgs>Vth,且Vgs-Vth

请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不...

Vod=Vgs-Vth,用MOS的Level 1 Model时,不考虑短沟道效用,Vdsat=Vod=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时,MOS的沟道就出现Pich-off现象,这时候电流开始饱和。(长沟道器件) 但是考虑到短沟道效应的模型里,沟道里的多子因为速度饱和效应(Velocity saturat

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